簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "Lu-Sheng Hong".eadvisor (精準) and year="104"


  • 在搜尋的結果範圍內查詢： 搜尋 展開檢索結果的年代分布圖

  • 個人化服務 ：

    我的檢索策略

  • 排序：

      
    • 儲存 列印 E-mail 收藏

    已勾選0筆資料

      本頁全選

    1
    金屬輔助化學蝕刻矽晶製作黑片之後表面處理程序最適化
    • 化學工程系 /104/ 碩士
    • 研究生： 張家逢   指導教授： 洪儒生
    • 本論文主要探討黑晶片的蝕刻條件來達到低反射率，同時探討清洗方式對黑晶片的影響來達到低反射率且高載子生命週期的黑晶片。以我們蝕刻液的配方，我們發現在p-type FZ晶片上成長黑晶片結構時，反射率不會…
    • 點閱：294  下載：0 
    • 全文公開日期 2021/02/15 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    2
    低溫鋁擴散進入非晶矽基體形成P型層的技術及擴散阻隔層的探討
    • 化學工程系 /104/ 碩士
    • 研究生： 吳明翰   指導教授： 洪儒生
    • 本論文主要探討如何藉由擴散阻隔層的加入適時阻擋低溫下鋁擴散進入非晶矽/單晶矽異質接合界面，以求得p型背電場形成之同時亦保有高異質接合鈍化效果之目的。我們選用兩種擴散阻隔層:第一種是以5奈米厚的氧化銦…
    • 點閱：191  下載：1 

    3
    脈衝高頻電漿輔助化學氣相沉積氫化非晶矽膜作為矽晶鈍化層之研究
    • 化學工程系 /104/ 碩士
    • 研究生： 簡郡輝   指導教授： 洪儒生
    • 本論文主要目的在探討使用矽甲烷為原料的高頻電漿輔助化學氣相沉積輔以不同製程方式來製備氫化非晶矽薄膜於單晶矽晶片上形成異質接合。研究重點在利用高頻電漿並輔以脈衝調變的技術，找出缺陷最少的氫化非晶矽長膜…
    • 點閱：689  下載：4 

    4
    低溫熱CVD成長摻鎵氧化鋅薄膜的熱退火研究
    • 化學工程系 /104/ 碩士
    • 研究生： 王博偉   指導教授： 洪儒生
    • 本研究目的在於探討以低壓化學氣相沉積的方式製備具有高光學散射結構的摻鎵氧化鋅薄膜，以及藉由不同之退火模式來提升因低溫成長而不足的薄膜電性，以期用於取代氧化銦錫作為藍光發光二極體的透明導電接觸層。 …
    • 點閱：243  下載：1 
    1